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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

IR35401MTRPBF

產(chǎn)品說明：驅(qū)動(dòng)器 MP - POWIRSTAGE

封裝：QFN
10起
30000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BTS4300SGA

產(chǎn)品說明：電源開關(guān)/驅(qū)動(dòng)器 1：1 N 通道 400mA PG-DSO-8-24

封裝：SOP8
10起
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11BPSA1

產(chǎn)品說明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11

產(chǎn)品說明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11NPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L400R10W3S7B11BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝道 - 950 V 底座安裝 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FC22BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FC22

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS05MR12A6MA1BBPSA1

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS05MR12A6MA1B

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A6MA1LBBPSA1

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 6 N-溝道（3 相橋） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A6MA1LB

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 6 N-溝道（3 相橋） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A6MA1BBPSA1

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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