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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

FFSH1065B-F155
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 - EliteSiC，10A，650V，D2，TO-247-2L

封裝：TO-247-2
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPC
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：汽車主驅(qū)900V，2.2mOhm單側(cè)直接冷卻6-Pack碳化硅功率模塊

封裝：SSDC-39
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPB
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅（SiC）模塊 – EliteSiC主驅(qū)逆變器功率模塊900V，單側(cè)直接散熱1.7mOhm，900V，6-Pack

封裝：SSDC-39
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR22S90M2SPB
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：汽車主驅(qū)900V，2.2mOhm單側(cè)直接冷卻6-Pack碳化硅功率模塊

封裝：SSDC-39
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXR17S90M2SPC
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅（SiC）模塊 – EliteSiC主驅(qū)逆變器功率模塊，單側(cè)直接散熱，1.7mOhm 900V 6-Pack

封裝：SSDC-39
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RWD-STD
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT - 功率，Co-PAK N 溝道，場(chǎng)截止 VII (FS7)，可控硅，TO247-3L

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RW-STD
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT - 電源，單路，N 溝道，場(chǎng)截止 VII (FS7)，可控硅，TO247-3L

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RW-STD
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT - 電源，單路，N 溝道，現(xiàn)場(chǎng)停止 VII (FS7)，可控硅，TO247-4L

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RWD-STD
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT - 汽車級(jí) 1200 V 40 A，TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PCFFS50120AF
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 - EliteSiC，50 A，1200 V，D1

封裝：TO-247-2
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L018N075SC1
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 溝道 - EliteSiC，13.5mohm，750V，M2，TO247-4L

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L023N065M3S
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 歐姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L023N065M3S
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 歐姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL1000N170M1
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、960 歐姆、1700 V、M1、TO-247-3L

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL015N065SC1
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 (SiC) MOSFET，N 溝道 - EliteSiC，12 歐姆，650V，M2，TO247-3L

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L013N120M3S
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅（SiC）MOSFET - EliteSiC，13 歐姆，1200 V，M3S

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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