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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:SGT120R65AL

商品名稱:SGT120R65AL

數(shù)據(jù)手冊:SGT120R65AL.pdf

品牌:ST

年份:23+

封裝:8-PowerVDFN

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ST
型號
SGT120R65AL
封裝
8-PowerVDFN
描述
N 溝道 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) 表面貼裝 PowerFlat? (5x6) HV

產(chǎn)品描述

SGT120R65AL 是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶體管,采用了成熟的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件具有極低的傳導(dǎo)損耗、高電流能力和超快的開關(guān)操作,從而實(shí)現(xiàn)了高功率密度和無與倫比的能效表現(xiàn)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):GaNFET(氮化鎵)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):120 毫歐 @ 5A,6V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.6V @ 12mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):3 nC @ 6 V

Vgs(最大值):+6V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):125 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):192W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)HV

封裝/外殼:8-PowerVDFN


產(chǎn)品特性

增強(qiáng)型常閉晶體管

極高的開關(guān)速度

高功率管理能力

極低電容

開爾文源極墊,可實(shí)現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動

零反向恢復(fù)電荷


應(yīng)用

平板電腦、筆記本電腦和 AIO 適配器

USB Type-C PD 適配器和快速充電器

無線充電器


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

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    答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

ST

ST

意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…

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