商品名稱：AIKQ120N60CT
數據手冊：
AIKQ120N60CT.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
AIKQ120N60CT 用于600V汽車應用的分立式IGBT TRENCHSTOP?和場終止技術可提供非常嚴格的參數分布，高耐用性，溫度穩(wěn)定性和極高的開關速度。
特征描述
非常低的 V Cesat， 數值為1.5V（典型值）
最高結溫為 175°C
短路承受時間 5μs
VCEsat 具有正溫度系數
低 EMI
低柵極電荷
環(huán)保封裝
極軟、快速恢復防并聯(lián)發(fā)射極控制高效二極管
潛在應用
主逆變器
空調壓縮機
PTC加熱器
電機驅動
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數：產品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。基本參數：產品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?；緟担寒a品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?；緟担寒a品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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