商品名稱：PSMN4R2-40VSHX
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
PSMN4R2-40VSHX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK56D
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PSMN4R2-40VSHX 40V 高性能MOSFET集成了Nexperia獨(dú)特的超級(jí)結(jié)技術(shù)。該器件采用銅夾LFPAK封裝，提供低導(dǎo)通電阻，并具有高達(dá)380A的持續(xù)電流能力。
規(guī)格
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個(gè) N 通道（半橋）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：98A（Ta）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：37nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2590pF @ 25V
功率 - 最大值：85W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D
基本產(chǎn)品編號(hào)：PSMN4R2
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時(shí)電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強(qiáng)模式－常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強(qiáng)模式－常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…
NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術(shù)），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。NSF060120D7A0J的規(guī)格：通道模式…
NSF040120L4A0Q
NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝，具有出色的漏源導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開關(guān)損耗、快速反向恢復(fù)和快速開關(guān)速度。典型應(yīng)用包括電動(dòng)汽車（ev）充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
