商品名稱：PSMN0R7-25YLDX
數據手冊：
PSMN0R7-25YLDX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK56
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
PSMN0R7-25YLDX 25V N溝道增強型MOSFET采用LFPAK56封裝，器件提供通常與集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET相關的高效率、低尖峰性能，但沒有高泄漏電流問題。此器件特別適合高開關頻率下的高效率應用。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.72 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：110.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8320 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：158W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：LFPAK56; Power-SO8
封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK
基本產品編號：PSMN0R7
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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