商品名稱：CAR600M12HN6
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
CAR600M12HN6.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CAR600M12HN6 高性能半橋模塊是經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的全碳化硅低電感半橋模塊，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。
技術(shù)特點(diǎn)
? 超低損耗、高頻運(yùn)行
? 低正向壓降，正溫度系數(shù)溫度系數(shù)
? 零反向恢復(fù)電流
? 零正向恢復(fù)電壓
? 開關(guān)行為與溫度無關(guān)
應(yīng)用
? 鐵路、牽引和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? 電動(dòng)汽車充電器
? 高效轉(zhuǎn)換器/逆變器
? 可再生能源
? 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
規(guī)格
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
配置： 2 個(gè) N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：908A（Tc）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 45300pF @ 0V
工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼 ：模塊
供應(yīng)商器件封裝： 模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…
C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級(jí)的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)…
C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級(jí)的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)…
C3M0016120K1
C3M0016120K1是設(shè)計(jì)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有高速開關(guān)特性，電容低，阻斷電壓高，導(dǎo)通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、開關(guān)模式電源、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓…電話咨詢：86-755-83294757
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