商品名稱：CAB011A12GM3T
數(shù)據(jù)手冊：
CAB011A12GM3T.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
Wolfspeed WolfPACK ? GM3碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組（三相）配置，均可選擇預(yù)涂HoneywellTM導(dǎo)熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率（10kW至100+kW）的設(shè)計，占位面積小，支持開發(fā)更緊湊、可擴展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品，方便隨時進行系統(tǒng)更新。與標(biāo)準熱潤滑脂相比，選擇帶有預(yù)涂TIM的WolfPACK模塊可將結(jié)溫 (Tj) 降低高達40°C或?qū)㈦娏髟黾痈哌_60%。全橋配置模塊非常適合用于三級快速充電器、工業(yè)電源和儲能系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。
技術(shù)特點
超低損耗
高頻運行
來自 MOSFET 的零關(guān)斷尾電流
常開、故障安全器件操作
氮化鋁陶瓷基底
可選預(yù)涂熱界面材料
應(yīng)用
直流-直流轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電器
高效轉(zhuǎn)換器/逆變器
可再生能源
智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
系統(tǒng)優(yōu)勢
實現(xiàn)緊湊、輕型系統(tǒng)
由于碳化硅的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗低，因此可提高系統(tǒng)效率
降低熱要求和系統(tǒng)成本
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…
C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)…
C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)…
C3M0016120K1
C3M0016120K1是設(shè)計符合工業(yè)標(biāo)準的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有高速開關(guān)特性，電容低，阻斷電壓高，導(dǎo)通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化，如UPS、電機控制和驅(qū)動、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓…電話咨詢：86-755-83294757
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