商品名稱:SAL-TC233L-32F200F AC
數(shù)據(jù)手冊:SAL-TC233L-32F200F AC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:100-TQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
100TQFP集成電路芯片SAL-TC233L-32F200F AC 200MHz微控制器IC
SAL-TC233L-32F200F AC的產品說明
SAL-TC233L-32F200F AC兩個32位超標量三核CPU,完全集成了DSP功能,8K字節(jié)的數(shù)據(jù)緩存(DCACHE),一個TC1.6P和TC1.6E的鎖階影子核心。
產品屬性
數(shù)據(jù)閃存大?。?28K字節(jié)
緩存數(shù)據(jù): 4行讀取緩沖器
DMA通道: 16
嵌入式電壓調節(jié)器: 從3.3V到1.3V的DCDC
QSPI通道: 4
SAL-TC233L-32F200F AC的特點
高效的標量三核CPU(TC1.6E)。
高達4M字節(jié)的程序閃存(PFLASH)。
在某些型號上可選擇硬件安全模塊(HSM)。
一個捕獲/比較6模塊(兩個內核CCU60和CCU61)
輸入電壓范圍從0V到5.5V(ADC供應)。
一個通用的12個定時器單元(GPT120)。
安全管理單元(SMU)處理安全監(jiān)測警報
高達384K字節(jié)的數(shù)據(jù)閃存(DFLASH)可用于EEPROM仿真
與TC1.6P的二進制代碼兼容
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?;緟?shù):產品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?;緟?shù):產品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。基本參數(shù):產品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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