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LMG1210RVRR是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 驅動器，專為要求超高頻率、高效率的應用而開發(fā)， 具有可調節(jié)死區(qū)時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側/低側匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還具備 一個內部 LDO，可確保 5V 的柵極驅動器電壓（而與電源電壓無關）。

產品特性

? 工作頻率高達 50MHz

? 10ns 典型傳播延遲

? 3.4ns 高側至低側匹配

? 4ns 最小脈寬

? 兩個控制輸入選項

– 具有可調死區(qū)時間的單個 PWM 輸入

– 獨立輸入模式

? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流

? 外部自舉二極管可實現靈活性

? 內部 LDO 可實現對電壓軌的適應能力

? 高 300V/ns CMTI

? HO 到 LO 的電容小于 1pF

? UVLO 和過熱保護

? 低電感 WQFN 封裝

產品應用

? 高速直流/直流轉換器

? 射頻封裝跟蹤

? D 類音頻放大器

? E 類無線充電

? 高精度電機控制

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