商品名稱:TLS810D1LDV33
數(shù)據(jù)手冊:TLS810D1LDV33.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSON-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
TLS810D1LDV33是一個線性穩(wěn)壓器,具有較寬的輸入電壓范圍,低電壓差和超低靜態(tài)電流的特點(diǎn)。穩(wěn)壓器的輸入電壓范圍為 2.75 V 至 42 V,靜態(tài)電流極低,僅 9 μA,,非常適合汽車或任何永久連接電池的其他電源系統(tǒng)。
產(chǎn)品特征
超低靜態(tài)電流 9μA
較寬的輸入電壓范圍:2.75 V 至 42 V
輸出電流容量高達(dá) 100 mA
關(guān)閉模式電流低于 1μA
低壓差電壓,典型值 250mV @ 100 mA
輸出電流限制和保護(hù)
過溫關(guān)斷
啟用
復(fù)位
可采用 PG-TSON-10 封裝
溫度范圍廣
環(huán)保產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
AEC 認(rèn)證
優(yōu)勢
工作輸入電壓范圍從 2.75 V 開始和極低壓差 -> 適用于啟動
超低靜態(tài)電流和電流消耗 -> 幫助電池省電
使用 1 μF 輸出電容器即可保持穩(wěn)定 -> 節(jié)省 PCB 空間和成本
良好的瞬態(tài)魯棒性 -> 更小的輸入電容器,從而實(shí)現(xiàn)更低的輸入過濾成本
產(chǎn)品應(yīng)用
直接電池連接應(yīng)用
汽車通用 ECUs
信息娛樂,報警,儀板表
RKE, 防盜,網(wǎng)關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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