STH13N120K5-2AG N通道功率MOSFET采用MDmesh K5技術,該技術基于創(chuàng)新的專用垂直結構。因此,對于需要出色功率密度和高效率的應用,可大幅降低導通電阻并實現超低柵極電荷。該器件符合AEC-Q101標準并具有齊納保護功能。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):690 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):44.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:H2PAK-2
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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