STB47N60DM6AG汽車級N通道功率MOSFET具有極低恢復電荷 (Qrr)、極短恢復時間 (trr) 以及低RDS(on)。DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh? DM6快速恢復二極管的組成部分,適用于要求極為苛刻的高效轉(zhuǎn)換器,并且是橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器的理想之選。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):80 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):55 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2350 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100V, N-Ch, 最大值2.1 m?, 車規(guī)級MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS? 7
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