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STGF15M65DF2 意法半導體 650V M 系列溝槽式柵極場終止型 IGBT 是一款高速 IGBT，采用了先進的、具有專利的溝槽式柵極和場終止型結(jié)構(gòu)。650V M 系列提供 3A-150A 最大集電極電流，適用于工作頻率高達 100kHz 的應用。它們具有經(jīng)優(yōu)化的設(shè)計，可定制成內(nèi)嵌反向并聯(lián)二極管。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：60 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A

功率 - 最大值：31 W

開關(guān)能量：90μJ（開），450μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：45 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：24ns/93ns

測試條件：400V，15A，12 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：142 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：TO-220FP

應用

● 電機控制

● UPS

● PFC

● 通用逆變器

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