商品名稱:射頻放大器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TSNP-6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
BGA8U1BN6E6327XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器,頻率范圍從 4.0 GHz 到 6.0 GHz。LNA 的增益為 13.7 dB,噪聲系數(shù)為 1.6 dB,電流消耗為 4.5mA。在旁路模式下,LNA 的插入損耗為 7.5 dB。
BGA8U1BN6E6327XSA1 基于英飛凌科技 B7HF 硅鍺技術(shù)。它的工作電源電壓為 1.6 V 至 3.1 V。該器件具有多態(tài)控制功能(關(guān)斷、旁路和高增益模式)。
功能特點(diǎn)
插入功率增益:13.7 dB
旁路模式下的插入損耗:7.5 dB 7.5 dB
噪聲系數(shù)低 1.6 分貝
低電流消耗 4.5 mA
工作頻率 4.0 - 6.0 千兆赫
多狀態(tài)控制: 關(guān)斷、旁路和高增益模式
電源電壓:1.6 V 至 3.1 V
超小型 TSNP-6-2 無(wú)引線封裝(占地面積:0.7 x 1.1 mm2)
B9HF 硅鍺技術(shù)
射頻輸入和射頻輸出內(nèi)部匹配為 50 歐姆
無(wú)需外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保護(hù)(包括 AI 引腳)
無(wú)鉛(符合 RoHS 規(guī)范)封裝
應(yīng)用
用于 4-6 GHz 超高頻帶的低噪聲放大器
移動(dòng)設(shè)備和智能手機(jī)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…CY8C4025PVA-S412
CY8C4025PVA-S412:24MHz,汽車 PSoC? 4000S,32位微控制器IC,PG-SSOP-28型號(hào):CY8C4025PVA-S412封裝:PG-SSOP-28類型:32位微控制器 - MCU應(yīng)用領(lǐng)域:移動(dòng)設(shè)備CY8C4025PVA-S412 產(chǎn)品屬性:系列:PSOC? 4 CY8C4000S安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SSOP-28 核心: ARM C…CY8C4025LQS-S411
CY8C4025LQS-S411(汽車 PSoC? 4000S):24MHz,32位ARM Cortex-M0+ null 微控制器 IC 型號(hào):CY8C4025LQS-S411封裝:PG-VQFN-24類型:32位微控制器 - MCUCY8C4025LQS-S411 產(chǎn)品屬性:系列:PSOC? 4 CY8C4000S核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:24MHz連接…CY8C4147LCE-HV403
CY8C4147LCE-HV403是一款32位高壓微控制器,CPU最高可達(dá)48 MHz。它屬于PSoC? 4 HVPA-144K系列,是一款完全集成的可編程嵌入式系統(tǒng),用于電池監(jiān)控和管理。主要特點(diǎn):48 MHz時(shí)的最大CPU速度帶ECC的128 KB代碼閃存帶ECC的8 KB數(shù)據(jù)閃存8 KB SRAM,帶ECC2個(gè)高壓測(cè)量io(帶高壓分…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…電話咨詢:86-755-83294757
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