STFU23N80K5 - 800V N 溝道 MDmesh K5 功率 MOSFET 晶體管，采用 TO-220FP 超窄引線封裝
型號：STFU23N80K5
封裝：TO-220-3
類型：MOSFET 晶體管
描述：N 溝道 800V 16A (Tc) 35W (Tc) 通孔 TO-220FP
產品概述
STFU23N80K5 - 這款超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新專有垂直結構的 MDmesh? K5 技術設計。其結果是大幅降低了導通電阻和超低柵極電荷，適用于需要出色功率密度和高效率的應用。
產品屬性
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 280 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 33 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1000 pF @ 100 V
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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