商品名稱：N 溝道 MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
AIMZHN120R080M1T車用1200V G1 SiC溝槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。具有高功率密度、出色的效率、雙向充電能力以及顯著降低系統(tǒng)成本等特性，因此非常適合用于車載充電器和DC-DC應(yīng)用。TO和SMD元件還設(shè)有開爾文源極引腳，可優(yōu)化開關(guān)性能。
特性
革命性的碳化硅半導(dǎo)體材料
非常低的切換損失
導(dǎo)通電壓VGS(on) 增加20V
IGBT兼容型驅(qū)動電壓
0V關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)柵極閾值電壓：VGS(the) = 4.5V
同類最佳的開關(guān)能量
低器件電容
無閾值導(dǎo)通狀態(tài)特性
與溫度無關(guān)的關(guān)閉開關(guān)損耗
.XT芯片連接技術(shù)，具有出色的散熱性能
完全可控的dv/dt
檢測引腳，可優(yōu)化開關(guān)性能
適合高壓爬電要求
薄型引線，降低了焊接橋的風(fēng)險(xiǎn)
換向魯棒體二極管，可用于同步整流
工作溫度范圍：-55°C至+175°C
無鉛、無鹵、符合RoHS指令
應(yīng)用
車載充電器和PFC
升壓器和直流/直流轉(zhuǎn)換器
輔助逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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