商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-5-1
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
IAUA250N04S6N008 OptiMOS? 6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件,性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù),顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-5-1
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 340 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 81 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 172 W
通道模式: Enhancement
下降時(shí)間: 15 ns
濕度敏感性: Yes
上升時(shí)間: 14 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
特性描述
OptiMOS? 功率 MOSFET
N 溝道 MOSFET
增強(qiáng)模式 - 正常電平
超越 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定
增強(qiáng)型電氣測(cè)試
穩(wěn)健的設(shè)計(jì)
MSL3 峰值回流溫度高達(dá) 260°C
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 規(guī)范)
100% 通過雪崩測(cè)試
潛在應(yīng)用
一般汽車應(yīng)用:
電動(dòng)泵和風(fēng)扇(12 V)
電動(dòng)汽車充電
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100V, N-Ch, 最大值2.1 m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.82m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.72m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.57m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.51m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.39m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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