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CGHV27060MP是一款60 W氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT ),采用小型封裝；塑料SMT封裝4.4mmx 6.5mm。晶體管是一種寬帶器件，沒有內(nèi)部輸入或輸出匹配；這使得靈活性適用于從UHF到2.7 GHz的廣泛頻率范圍。

CGHV27060MP是超高頻脈沖應用的優(yōu)秀晶體管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；該晶體管非常適合于A/B類等高效拓撲中平均功率為10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。

規(guī)格

晶體管類型：HEMT

技術(shù)：GaN

工作頻率：2.7 GHz

增益：18.5 dB

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：150 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 ：- 10 V to 2 V

Id-連續(xù)漏極電流：6.3 A

輸出功率：60 W

最大漏極/柵極電壓：-

Pd-功率耗散：-

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：QSOP-20

應用：-

類：-

配置：Single

正向跨導 - 最小值：-

閘/源截止電壓：-

濕度敏感性：Yes

NF—噪聲系數(shù)：-

工作溫度范圍：- 40°C to +90°C

P1dB - 壓縮點：-

產(chǎn)品類型：RF JFET Transistors

Rds On-漏源導通電阻：-

Vgs th-柵源極閾值電壓：- 3 V

單位重量：241.200 mg

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