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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:CY15B201QSN-108SXE

商品名稱:F-RAM

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:SOIC-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
CY15B201QSN-108SXE
封裝
SOIC-8
描述
1Mbit 3.0V 108MHz 汽車-E 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) IC

產(chǎn)品描述

CY15B201QSN-108SXE - EXCELON? 1Mbit Automotive-E Quad SPI F-RAM 存儲器 IC


一、描述:

CY15B201QSN-108SXE 是一款采用先進鐵電工藝的高性能 1-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。CY15B201QSN 將 1-Mb F-RAM 與高速 Quad SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,增強了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。該器件支持循環(huán)冗余檢查 (CRC) 功能,可用于檢查存儲器陣列中存儲數(shù)據(jù)的完整性。


二、主要功能:

1-Mbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 128K × 8

- 先進的高可靠性鐵電工藝

單輸入/輸出和多輸入/輸出串行外設(shè)接口 (SPI)

SPI 時鐘頻率

- 高達 108MHz 頻率 SPI 單數(shù)據(jù)速率 (SDR)

- 高達 54MHz 頻率的 SPI 雙數(shù)據(jù)速率 (DDR)

專用 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM

- 專用特殊扇區(qū)寫入和讀取

- 內(nèi)容可經(jīng)受長達三個標準回流焊周期的考驗

低壓工作 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V

汽車工作溫度:-40°C 至 +125°C

符合 AEC - Q100 1 級標準

8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝


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常見問題

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