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特性

1) 低導通電阻

2) 小型表面貼裝封裝（TSMT8）

3) 無鉛電鍍；符合RoHS標準

4) 無鹵素

應用

• 開關(guān)

ROHM半導體公司的硅功率MOSFET提供一系列驅(qū)動類型（0.9V至20V），使其非常適合各種應用。

QH8MA4TCR 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSMT-8

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 9 A, 8 A

Rds On-漏源導通電阻: 12.3 mOhms, 22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 2.5 V

Qg-柵極電荷: 15.5 nC, 19.6 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.6 W

通道模式: Enhancement

配置: Dual

下降時間: 7 ns, 22 ns

正向跨導 - 最小值: 4.4 S, 5.5 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 19 ns, 16 ns

工廠包裝數(shù)量:  3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 33 ns, 55 ns

典型接通延遲時間: 8 ns, 10 ns

零件號別名: QH8MA4

單位重量: 10 mg

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