商品名稱：IMW120R220M1H
數(shù)據(jù)手冊：
IMW120R220M1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IMW120R220M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、220 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。
特點
極低的開關損耗
無閾值通態(tài)特性
寬廣的柵極-源極電壓范圍
基準柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5V
0V的關斷柵極電壓，便于簡單的柵極驅動
完全可控的dV/dt
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
與溫度無關的關斷開關損耗
潛在應用
能源生產
太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器
工業(yè)電源
工業(yè)用UPS
工業(yè)用SMPS
基礎設施--充電
充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/18.6 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 160 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
CY8C4025PVA-S412
CY8C4025PVA-S412：24MHz，汽車 PSoC? 4000S，32位微控制器IC，PG-SSOP-28型號：CY8C4025PVA-S412封裝：PG-SSOP-28類型：32位微控制器 - MCU應用領域：移動設備CY8C4025PVA-S412 產品屬性：系列：PSOC? 4 CY8C4000S安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SSOP-28 核心: ARM C…
CY8C4025LQS-S411
CY8C4025LQS-S411（汽車 PSoC? 4000S）：24MHz，32位ARM Cortex-M0+ null 微控制器 IC 型號：CY8C4025LQS-S411封裝：PG-VQFN-24類型：32位微控制器 - MCUCY8C4025LQS-S411 產品屬性：系列：PSOC? 4 CY8C4000S核心處理器：ARM Cortex-M0+內核規(guī)格：32-位速度：24MHz連接…
CY8C4147LCE-HV403
CY8C4147LCE-HV403是一款32位高壓微控制器，CPU最高可達48 MHz。它屬于PSoC? 4 HVPA-144K系列，是一款完全集成的可編程嵌入式系統(tǒng)，用于電池監(jiān)控和管理。主要特點:48 MHz時的最大CPU速度帶ECC的128 KB代碼閃存帶ECC的8 KB數(shù)據(jù)閃存8 KB SRAM，帶ECC2個高壓測量io(帶高壓分…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…電話咨詢：86-755-83294757
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