商品名稱：IMBG65R048M1H
數(shù)據(jù)手冊：
IMBG65R048M1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IMBG65R048M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低開關損耗
換向穩(wěn)健型快速體二極管
先進溝槽技術帶來出色的柵極氧化物可靠性
采用 .XT 互連技術，實現(xiàn)卓越的熱性能
雪崩能力更強
SMD 封裝，可直接集成至 PCB
用于優(yōu)化開關性能的感測引腳
優(yōu)勢
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復雜度
打造成本更低、結構更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓撲
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)雙向拓撲
潛在應用
服務器
電信
開關電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機驅動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/18.6 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 160 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
CY8C4025PVA-S412
CY8C4025PVA-S412：24MHz，汽車 PSoC? 4000S，32位微控制器IC，PG-SSOP-28型號：CY8C4025PVA-S412封裝：PG-SSOP-28類型：32位微控制器 - MCU應用領域：移動設備CY8C4025PVA-S412 產(chǎn)品屬性：系列：PSOC? 4 CY8C4000S安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SSOP-28 核心: ARM C…
CY8C4025LQS-S411
CY8C4025LQS-S411（汽車 PSoC? 4000S）：24MHz，32位ARM Cortex-M0+ null 微控制器 IC 型號：CY8C4025LQS-S411封裝：PG-VQFN-24類型：32位微控制器 - MCUCY8C4025LQS-S411 產(chǎn)品屬性：系列：PSOC? 4 CY8C4000S核心處理器：ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：24MHz連接…
CY8C4147LCE-HV403
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AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…電話咨詢：86-755-83294757
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