商品名稱：BSZ100N03MSGATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
BSZ100N03MSGATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：4000 件
30V MOSFETs 晶體管 BSZ100N03MSGATMA1 集成電路芯片 8-PowerTDFN
產(chǎn)品介紹
BSZ100N03MSGATMA1 OptiMOS? 30V產(chǎn)品是為滿足筆記本電腦的電源管理需求而定制的，改善了EMI行為，并延長了電池壽命。可采用半橋配置（功率級5x6）。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性： N-溝道
通道數(shù)： 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：30 V
Id - 連續(xù)漏極電流：40 A
Rds On - 漏極-源極電阻：7.3 mOhms
Vgs - 柵源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極源閾值電壓：1 V
Qg - 柵極電荷：23 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度： + 150 C
Pd - 功率耗散： 30 W
通道模式： 增強(qiáng)型
配置： 單通道
下降時間：2.4 ns
正向電導(dǎo)率 - 最小值：26 S
高度：1.1毫米
長度: 3.3 mm
應(yīng)用
板載充電器
直流-直流
VRD/VRM
電機(jī)控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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CY8C4025LQS-S411
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CY8C4147LCE-HV403
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AIMCQ120R020M1T
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AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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