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650V 晶體管 IMBG65R083M1HXTMA1 碳化硅 MOSFET 單管 TO-263-8

IMBG65R083M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 28A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 111mOhm @ 11.2A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 3.3mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 19 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 624 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 126W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型： 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7引線+焊片），TO-263CA

IMBG65R083M1HXTMA1的特點

低Qrr和Qoss

低開關(guān)損耗

換向穩(wěn)健的快速體二極管

先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有出色的柵極氧化物可靠性

XT互連技術(shù)，具有卓越的熱性能

增強(qiáng)的雪崩能力

SMD封裝，可直接集成到PCB上

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳

IMBG65R083M1HXTMA1是碳化硅MOSFET單管，采用緊湊的7引腳SMD封裝，旨在提高系統(tǒng)性能，減小尺寸并提高可靠性。

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