商品名稱:IPBE65R075CFD7AATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IPBE65R075CFD7AATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IPBE65R075CFD7AATMA1是650V的CoolMOS? N溝道汽車級SJ功率MOSFET CFD7A,具有更高的可靠性和功率密度,并增強了設計靈活性。
IPBE65R075CFD7AATMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術: MOSFET (金屬氧化物)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 32A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id: 4.5V @ 820μA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68 nC @ 10 V
Vgs(最大): ±20V
輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds: 3288 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 171W (Tc)
操作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應商器件封裝: PG-T263-7-3-10
封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6條引線+接片),TO-263CB
IPBE65R075CFD7AATMA1的特點
高質(zhì)量和可靠性
100%雪崩測試
增加了封裝的爬電距離
電池電壓高達475V而不影響可靠性標準
硬開關和軟開關拓撲結構的效率提高達98.4%。
固有的快速體二極管Qrr比CoolMOS? CFDA低30%。
晶體管 IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 汽車級 MOSFET 晶體管 650V
型號
品牌
封裝
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描述
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