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專門為汽車應用設計的HEXFET?功率MOSFET的這種蜂窩式設計利用了最新的加工技術，以實現(xiàn)單位硅面積的低導通電阻。這一優(yōu)點與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計者提供了一個極其高效和可靠的器件，可用于汽車和其他廣泛的應用。

特點

? 先進的工藝技術

? P-溝道MOSFET

? 超低導通電阻

? 動態(tài) dv/dt 等級

? 快速開關

? 完全雪崩額定值

? 允許重復雪崩，最高可達 Tjmax

? 無鉛，符合 RoHS 標準

? 符合汽車要求

產品規(guī)格：

型號：AUIRF5210STRL

系列： HEXFET?    

FET 類型： P 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：38A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 60 毫歐 @ 38A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 230 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF @ 25 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），170W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： D2PAK  

封裝/外殼： TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB  

基本產品編號： AUIRF5210

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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