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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IMW65R048M1HXKSA1

商品名稱:IMW65R048M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:IMW65R048M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMW65R048M1HXKSA1
封裝
TO-247-3
描述
N-通道 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) 通孔

產(chǎn)品描述

IMW65R048M1HXKSA1是照明和工業(yè)SMPS應(yīng)用的理想選擇,它融合了一流的性能和最先進的易用性。


IMW65R048M1HXKSA1的產(chǎn)品屬性

FET類型: N-溝道

技術(shù): SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓(Vdss): 650 V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 39A (Tc)

驅(qū)動電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V

Vgs(th)(最大值)@ Id: 5.7V @ 6mA

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 33 nC @ 18 V

Vgs(最大): +23V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1118 pF @ 400 V

功率耗散(最大): 125W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型: 通孔

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-3-41

封裝/外殼:TO-247-3


IMW65R048M1HXKSA1的特點

在較高的電流下具有優(yōu)化的開關(guān)行為

具有低Qmr的換向穩(wěn)健的快速體二極管

卓越的柵極氧化可靠性


集成電路芯片N通道650V 39A IMW65R048M1HXKSA1單晶體管


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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

NTHL099N60S5

ON

TO-247-3

2500

MOSFET - 功率,單 N 溝道,SUPERFET V,易驅(qū)動,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

NTBGS1D5N06C

ON

D2PAK-7

25000

MOSFET - 功率,單 N 溝道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON

5-DFN

15000

MOSFET - 功率,單 N 溝道 40 V,0.92 m,300 A

NTB7D3N15MC

ON

TO-263-3

5000

MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

STL175N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

STL170N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

STL305N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

汽車 N 溝道增強模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

STL165N10F8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝

STL300N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道增強模式邏輯電平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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