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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:FS650R08A4P2

商品名稱:FS650R08A4P2

數(shù)據(jù)手冊:FS650R08A4P2.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:MODULE

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
FS650R08A4P2
封裝
MODULE
描述
IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 750 V 375 A 20 mW 底座安裝 AG-HYBDC6I-1

產(chǎn)品描述

FS650R08A4P2 750V HybridPACK?驅(qū)動模塊是一個超緊湊電源模塊,優(yōu)化用于混合動力和電動汽車主逆變器應(yīng)用 (xEV)。HybridPACK驅(qū)動器配有機械導(dǎo)向元件,支持簡單的組裝過程。此外,信號端子的壓配引腳可避免耗時的選擇性焊接工藝,從而在系統(tǒng)層面上節(jié)省成本,提高系統(tǒng)可靠性。


引線型FS820R08A6P2B (820 A/750 V) 是一款六單元模塊,優(yōu)化用于150kW逆變器。該電源模塊采用EDT2 IGBT芯片生成技術(shù),這是一款汽車Micro-Pattern Trench-Field-Stop電池設(shè)計。該芯片組具有基準電流密度,還有卓越的短路耐受性以及增強的電壓阻斷性能,可確保逆變器在惡劣的環(huán)境條件下仍能可靠運行。EDT2 IGBT還具有出色的輕負載功率損耗,有助于顯著提高系統(tǒng)在實際周期內(nèi)的效率。該芯片組優(yōu)化用于10kHz范圍內(nèi)的開關(guān)頻率。


特性

  • 基準電流密度和改進輕負載功率損耗,增加電動汽車里程

  • 750V EDT2 IGBT和二極管芯片組,用于高達Tvj=175°C開關(guān)操作

  • 極低導(dǎo)通損耗

  • 單位數(shù)雜散電感以及平順、高效的開關(guān)特性

  • 短路耐受性高達Tvj=175°C,可在極端條件下保證逆變器可靠運行

  • 壓配信號引腳

  • 機械導(dǎo)向元件,用于高效、低成本逆變器組件


應(yīng)用

  • 汽車應(yīng)用

  • 混合動力和電池電動汽車

  • 商用、建筑和農(nóng)用車輛

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

FS1150R08A8P3LMC

INFINEON

模塊

1000

汽車 HybridPACK? 驅(qū)動器 G2 IGBT 模塊

FS1150R08A8P3LBC

INFINEON

模塊

1000

汽車 HybridPACK? 驅(qū)動器 G2 IGBT 模塊

FS01MR08A8MA2LBC

INFINEON

模塊

1000

帶 SiC MOSFET 的汽車 HybridPACK? 驅(qū)動器 G2 模塊

FS02MR12A8MA2B

INFINEON

模塊

1000

帶 SiC MOSFET 的汽車 HybridPACK? 驅(qū)動器 G2 模塊

NVH820S75L4SPM

ON

Module

1000

750V, 820A 用于汽車的單側(cè)直接冷卻三相6-Pack電源模塊

FS820R08A6P2LBBPSA1

INFINEON

MODULE

2000

IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 820 A 底座安裝 模塊

FS660R08A6P2FBBPSA1

INFINEON

MODULE

2000

IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 750 V 450 A 1053 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1

FS820R08A6P2LB

INFINEON

Module

2000

IGBT模塊溝槽式現(xiàn)場停止三相逆變器820A機箱安裝模塊

FS400R07A3E3

INFINEON

模塊

5000

HybridPACK? DC6模塊

FS820R08A6P2

INFINEON

Module

2000

IGBT模塊溝槽式現(xiàn)場停止三相逆變器820A機箱安裝模塊

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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