商品名稱:SCT3080ALGC11
數據手冊:SCT3080ALGC11.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:3000 件
集成電路芯片SCT3080ALGC11單場效應管 MOSFET晶體管 TO-247-3
產品介紹
SCT3080ALGC11是N溝道SiC功率MOSFET 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) 晶體管通孔TO-247N。
產品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數: 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:650 V
Id - 連續(xù)漏極電流:30 A
Rds On - 漏極-源極電阻:80 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 4 V,+ 22 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2.7 V
Qg - 柵極電荷: 48 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 134 W
通道模式: 增強型
特點
47ns的典型上升時間
73ns的典型關機延遲時間
35ns典型的下降時間
-55℃至+150℃的工作溫度范圍
型號
品牌
封裝
數量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產品。
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SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結構650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
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