商品名稱:CY8C4146LQS-S453T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4146LQS-S453T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4146LQS-S453T 器件的閃存模塊帶有一個閃存加速器,與 CPU 緊密耦合,以提高閃存塊的平均訪問時間。 低功耗閃存塊設(shè)計為在 48MHz 頻率下提供兩個等待狀態(tài)的訪問時間。 閃存加速器的平均單周期 SRAM 訪問性能達(dá)到 85%。
特點(diǎn)
時鐘源
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
產(chǎn)生 48MHz 頻率的 PLL
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
32 kHz 內(nèi)部低功耗振蕩器 (ILO)
LCD 驅(qū)動能力
GPIO 上的 LCD 段驅(qū)動功能
可編程數(shù)字
可編程邏輯塊允許在端口輸入和輸出上執(zhí)行布爾運(yùn)算
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
深度睡眠模式,具有工作模擬和 2.5 ?A 數(shù)字系統(tǒng)電流
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
BGA-64
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 48MHz 128KB(128K x 8) 閃存 64-MAPBGA(5x5)
NXP
LQFP-64
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 48MHz 128KB(128K x 8) 閃存 64-LQFP(10x10)
NXP
LQFP-64
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 48MHz 64KB(64K x 8) 閃存 64-LQFP(10x10)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…CY8C4025PVA-S412
CY8C4025PVA-S412:24MHz,汽車 PSoC? 4000S,32位微控制器IC,PG-SSOP-28型號:CY8C4025PVA-S412封裝:PG-SSOP-28類型:32位微控制器 - MCU應(yīng)用領(lǐng)域:移動設(shè)備CY8C4025PVA-S412 產(chǎn)品屬性:系列:PSOC? 4 CY8C4000S安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SSOP-28 核心: ARM C…CY8C4025LQS-S411
CY8C4025LQS-S411(汽車 PSoC? 4000S):24MHz,32位ARM Cortex-M0+ null 微控制器 IC 型號:CY8C4025LQS-S411封裝:PG-VQFN-24類型:32位微控制器 - MCUCY8C4025LQS-S411 產(chǎn)品屬性:系列:PSOC? 4 CY8C4000S核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:24MHz連接…CY8C4147LCE-HV403
CY8C4147LCE-HV403是一款32位高壓微控制器,CPU最高可達(dá)48 MHz。它屬于PSoC? 4 HVPA-144K系列,是一款完全集成的可編程嵌入式系統(tǒng),用于電池監(jiān)控和管理。主要特點(diǎn):48 MHz時的最大CPU速度帶ECC的128 KB代碼閃存帶ECC的8 KB數(shù)據(jù)閃存8 KB SRAM,帶ECC2個高壓測量io(帶高壓分…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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