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TMS5700714APGEQQ1器件具有 768KB 的集成閃存和 128KB 的 RAM 配置，并帶有單位錯誤糾正和雙位錯誤檢測功能。該器件上的閃存存儲器是通過 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口實現(xiàn)的可電擦除且可編程的非易失性存儲器。對于所有讀取、編程和擦除操作，該閃存均采用 3.3V 電源輸入（與 I/O 電源相同的電平）。SRAM 在整個支持的頻率范圍內(nèi)支持字節(jié)、半字、字和雙字模式的單周期讀取和寫入訪問。

TMS5700714APGEQQ1器件具有針對實時控制類應用的外設，其中包括兩個具有總共最多 44 個 I/O 端子的下一代高端計時器 (N2HET) 計時協(xié)處理器、七個具有多達 14 個輸出的增強型 PWM (ePWM) 模塊、六個增強型捕捉 (eCAP) 模塊、兩個增強型正交編碼器脈沖 (eQEP) 模塊和兩個支持多達 24 個輸入的 12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。

產(chǎn)品屬性

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU

系列: TMS570LS0714

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LQFP-144

核心: ARM Cortex R4F

程序存儲器大小: 768 kB

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit/16 bit

ADC分辨率: 12 bit

最大時鐘頻率: 160 MHz

輸入/輸出端數(shù)量: 64 I/O

數(shù)據(jù) RAM 大小: 128 kB

電源電壓-最小: 1.14 V

電源電壓-最大: 1.32 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

資格: AEC-Q100

模擬電源電壓: 5.25 V

數(shù)據(jù) Ram 類型: RAM

數(shù)據(jù) ROM 大小: 64 kB

數(shù)據(jù) Rom 類型: EEPROM

I/O 電壓: 3 V to 3.6 V

接口類型: CAN, I2C, SCI/LIN, SPI

濕度敏感性: Yes

ADC通道數(shù)量: 24 Channel

處理器系列: TMS570

產(chǎn)品: MCU+FPU

應用

? 電動助力轉(zhuǎn)向 (EPS)

? 制動系統(tǒng)（ABS 和 ESC）

? 混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 逆變器系統(tǒng)

? 電池管理系統(tǒng)

? 主動駕駛員輔助系統(tǒng)

? 航天和航空電子設備

? 軌道交通

? 越野車

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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