商品名稱:EP4CGX75CF23C6N
數(shù)據(jù)手冊:EP4CGX75CF23C6N.pdf
品牌:Intel
年份:23+
封裝:484-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
EP4CGX75CF23C6N 基于 1.5V、0.13um、全層銅 SRAM 工藝,密度高達(dá) 20,060 邏輯元件 (LE),RAM 高達(dá) 288 Kbits。
產(chǎn)品屬性
實(shí)驗(yàn)室/CLB 數(shù)量: 4620
邏輯元件/單元數(shù): 73920
總 RAM 位數(shù) 4257792
I/O 數(shù)量: 290
電壓 - 電源 1.16V ~ 1.24V
安裝類型 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TJ)
封裝/外殼:484-BGA
供應(yīng)商器件封裝:484-FBGA (23x23)
產(chǎn)品特性
2,910 至 20,060 個(gè) LE
多達(dá) 294,912 個(gè) RAM 位(36,864 字節(jié))
支持通過低成本串行配置器件進(jìn)行配置
支持 LVTTL、LVCMOS、SSTL-2 和 SSTL-3 I/O 標(biāo)準(zhǔn)
支持 66 -MHz、32 位 PCI 標(biāo)準(zhǔn)
支持低速 (311 Mbps) LVDS I/O
每個(gè)設(shè)備最多有兩個(gè) PLL,提供時(shí)鐘倍增和相移功能
每個(gè)邏輯陣列塊 (LAB) 行最多有 8 條全局時(shí)鐘線和 6 個(gè)可用時(shí)鐘資源
支持外部存儲(chǔ)器,包括 DDR SDRAM(133 MHz)、
FCRAM 和單數(shù)據(jù)速率 (SDR) SDRAM
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英特爾是半導(dǎo)體行業(yè)和計(jì)算創(chuàng)新領(lǐng)域的全球領(lǐng)先廠商 ,創(chuàng)始于1968年。如今,英特爾正轉(zhuǎn)型為一家以數(shù)據(jù)為中心的公司 。英特爾與合作伙伴一起,推動(dòng)人工智能、5G、智能邊緣等轉(zhuǎn)折性技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用突破,驅(qū)動(dòng)智能互聯(lián)世界。英特爾2015年12月28日宣布完成公司史上最大一筆收…
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