最新資訊明佳達(dá)全新原裝供應(yīng)碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。
明佳達(dá)全新原裝供應(yīng)碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。
產(chǎn)品型號(hào)：IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
品牌： INFINEON
年份：最新21+
封裝： TO-263-7
參數(shù)
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 54 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 51 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.7 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 211 W
優(yōu)勢(shì)
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜度
打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓?fù)?/span>
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/span>
應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開關(guān)電源 (SMPS)
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
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