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供求TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC

供求TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC

來源:本站時(shí)間:2022-08-30瀏覽數(shù):

明佳達(dá)公司供求電源管理LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC,只要原裝正品,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,散新翻新均不考慮,有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555 郵箱chen13410018555@qq.com、sales@hkmjd.com!

明佳達(dá)電子供求集成電路 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC 


具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 GaN FET 使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)以將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%,以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢支持密集且高效的拓?fù)洌鐖D騰柱 PFC。

LMG341xR150 通過集成一組獨(dú)特的功能來簡化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能,為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成式柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 開關(guān),V DS振鈴接近于零,小于 100 ns 的限流響應(yīng)可自我保護(hù)以防止意外擊穿事件,過熱關(guān)斷可防止熱失控,系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控能力。


供應(yīng)型號:LMG3411R150RWHR

批號:最新21+

封裝:VQFN32

描述 :具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN

屬性:

開關(guān)類型:負(fù)載開關(guān)

輸出數(shù):1

比率 - 輸入:輸出1:1

輸出配置:高端

輸出類型:N 通道

接口:邏輯,PWM

電壓 - 負(fù)載:480V(最大)

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V

電流 - 輸出(最大值):6A

導(dǎo)通電阻(典型值):150 毫歐

輸入類型:非反相

特性:自舉電路,5V 穩(wěn)壓輸出

故障:保護(hù)過流,超溫,UVLO

工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:32-VQFN(8x8)

封裝/外殼:32-VQFN 裸露焊盤

基本產(chǎn)品編號:LMG3411R150


回收電源管理LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC,只要原裝正品,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,散新翻新均不考慮,有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555 郵箱chen13410018555@qq.com/sales@hkmjd.com!


公司還收購電子呆料庫存:電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級管等產(chǎn)品。  


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