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英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊

英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊

來源:本站時間:2024-06-14瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司全新原裝推出英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊介紹這是一款第一代1200 V,33 mΩ EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊,帶NTC溫度傳感器,采用PressFIT壓接技術(shù)。特征描述出色封裝,高度達12

深圳市明佳達電子有限公司全新原裝推出英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊


介紹

這是一款第一代1200 V,33 mΩ EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊,帶NTC溫度傳感器,采用PressFIT壓接技術(shù)。


特征描述

出色封裝,高度達12 mm

先進的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料

非常低的模塊雜散電感

增強的第一代CoolSiC? MOSFET

更大的柵極驅(qū)動電壓范圍

柵源電壓:+23 V和-10 V 

工作結(jié)溫(Tvjop):過載條件下高達175°C

PressFIT壓接引腳

集成了NTC溫度傳感器


優(yōu)勢

優(yōu)異的模塊效率

系統(tǒng)成本優(yōu)勢

提升系統(tǒng)效率

降低散熱需求

可實現(xiàn)更高的頻率

提高功率密度


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

儲能系統(tǒng)

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案


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