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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Renesas MOSFET 晶體管 NP30N06QDK-E1-AY 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管產(chǎn)品概述NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，設(shè)計(jì)用于大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。產(chǎn)品屬性產(chǎn)品類(lèi)別： MOSFET 技術(shù)： Si 硅 封裝/外殼：HSON-8 晶體管極性 N…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Renesas MOSFET 晶體管 NP30N06QDK-E1-AY 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品概述
NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，設(shè)計(jì)用于大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品類(lèi)別： MOSFET
技術(shù)： Si 硅
封裝/外殼：HSON-8
晶體管極性 N 溝道
通道數(shù) 1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：60 V
Id - 持續(xù)漏極電流：30 A
Rds On - 漏極-源極電阻：14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2.5 V
Qg - 柵極電荷：25 nC
最高工作溫度 + 175 C
Pd - 功率耗散： 59 W
通道模式： 增強(qiáng)
特性
超低導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V，ID = 15 A） RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V，ID = 7.5 A)
低 Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V）
專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)，通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證
小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道
應(yīng)用
高度集成的 100W USB-PD 充電器
時(shí)間：2024-10-19
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