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DC - 20GHz,QPD2060D(Qorvo)分立式GaAs pHEMT芯片

DC - 20GHz,QPD2060D(Qorvo)分立式GaAs pHEMT芯片

來源:本站時間:2024-08-05瀏覽數(shù):

產(chǎn)品簡介Qorvo QPD2060D 600m 分立式GaAs pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下,8的輸出功率為2dBm(P1dB時),增益為12dB,功率附加效率為55%(1dB壓縮時)。得益于該性能,QPD2060D適合用于高效率應(yīng)用。QPD2060D設(shè)計采用0.25m功率…

產(chǎn)品簡介

Qorvo QPD2060D 600μm  分立式GaAs pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下,8的輸出功率為2dBm(P1dB時),增益為12dB,功率附加效率為55%(1dB壓縮時)。得益于該性能,QPD2060D適合用于高效率應(yīng)用。

產(chǎn)品封裝.png

QPD2060D設(shè)計采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。


QPD2060D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護層,可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護。


產(chǎn)品特征

頻率范圍:直流至20GHz

P1dB輸出功率:28dBm(典型值)

增益:12dB(12GHz時典型值)

PAE:55%(12GHz時典型值)

噪聲系數(shù):1.4dB(12GHz時典型值)

漏極電壓:8V

漏極電流:97mA

0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸:0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令


產(chǎn)品應(yīng)用:

? 通信

? 雷達

? 點對點無線電

? 衛(wèi)星通信


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