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Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三電平1200 V CoolSiC? MOSFET Easy模塊

Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三電平1200 V CoolSiC? MOSFET Easy模塊

來源:本站時(shí)間:2024-08-08瀏覽數(shù):

F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊,采用具有增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。特性? 電氣特性- VDSS = 1200 V- IDN = 100 A / IDRM = 200 A- 高電流密度- 低…

F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊,采用具有增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。

產(chǎn)品封裝.png

特性

? 電氣特性

- VDSS = 1200 V

- IDN = 100 A / IDRM = 200 A

- 高電流密度

- 低開關(guān)損耗

? 機(jī)械特性

- 集成的安裝夾使安裝堅(jiān)固

- 集成 NTC 溫度傳感器

- PressFIT 壓接技術(shù)

- 預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)


應(yīng)用

? 太陽能應(yīng)用

? 三電平應(yīng)用

? 電動(dòng)車直流充電


產(chǎn)品認(rèn)證

? 根據(jù) IEC 60747、60749 和 60068 標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)測試,符合工業(yè)應(yīng)用的要求。


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