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STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、24 A STripFET II功率MOSFET

STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、24 A STripFET II功率MOSFET

來源:本站時間:2024-08-24瀏覽數(shù):

STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝介紹:STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨特的STripFET工藝開發(fā)的,該工藝專門設(shè)計用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān),…

STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝


介紹:

STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨特的STripFET工藝開發(fā)的,該工藝專門設(shè)計用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān),適合電信和計算機應(yīng)用,以及具有低柵極電荷驅(qū)動要求的應(yīng)用。


詳細(xì)參數(shù)

STD20NF06LAG

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:24 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V

Qg-柵極電荷:13 nC

最小工作溫度:- 55°C

最大工作溫度:+ 175°C

Pd-功率耗散:60 W

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標(biāo)名:STripFET

系列:STD20NF06LAG

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

配置:Single

下降時間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFETs

上升時間:50 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:11 ns

單位重量:360 mg


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