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ST VNS1NV04DPTR PMIC - 配電開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 VNS1NV04

ST VNS1NV04DPTR PMIC - 配電開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 VNS1NV04

來源:本站時(shí)間:2022-09-16瀏覽數(shù):

明佳達(dá)供應(yīng)全新原裝VNS1NV04DPTR PMIC - 配電開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)器,庫存現(xiàn)貨,實(shí)單有接受價(jià)可詳談!

VNS1NV04DP 是由兩個(gè)單片 OMNIFET II 芯片封裝在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) SO-8 封裝。OMNIFET II 是采用 STMicroelectronics VIPower? M0-3 設(shè)計(jì)技術(shù):它們旨在替代從直流到 50KHz 標(biāo)準(zhǔn)功率 MOSFET應(yīng)用程序。內(nèi)置熱關(guān)斷,線性電流限制和過壓鉗位保護(hù)芯片在惡劣的環(huán)境中。故障反饋可以通過監(jiān)控來檢測輸入引腳上的電壓。


型號:VNS1NV04DPTR

品牌:ST

批號:1836+

封裝:SOP

VNS1NV04DPTR.jpg

規(guī)格參數(shù)

開關(guān)類型 通用   

輸出數(shù) 2   

比率 - 輸入:輸出 1:1   

輸出配置 低端   

輸出類型 N 通道   

接口 開/關(guān)   

電壓 - 負(fù)載 36V(最大)   

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 不需要   

電流 - 輸出(最大值) 1.7A   

導(dǎo)通電阻(典型值) 250 毫歐(最大)   

輸入類型 非反相   

特性 -   

故障保護(hù) 限流(固定),超溫,過壓   

工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)   

安裝類型 表面貼裝型   

供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC   

封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 

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