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功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面貼裝型 75 V 106A

功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面貼裝型 75 V 106A

來源:本站時間:2022-11-11瀏覽數(shù):

明佳達供應功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面貼裝型 75 V 106A,全新原裝,現(xiàn)貨庫存,實單有接受價可詳談!

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產(chǎn)品型號:IRF3808STRRPBF

批號:11+

封裝:TO-263

描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK


優(yōu)勢

 先進的工藝技術

 超低導通電阻

 動態(tài)dv/dt等級

 175°C工作溫度

 快速開關

 允許重復雪崩,最高可達 Tjmax

 無鉛


屬性參數(shù)

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V

Id-連續(xù)漏極電流: 106 A

Rds On-漏源導通電阻: 7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 150 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 200 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 120 ns

正向跨導 - 最小值: 100 S

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

上升時間: 140 ns

典型關閉延遲時間: 68 ns

典型接通延遲時間: 16 ns


典型應用

工業(yè)汽車

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