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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

E3M0032120K

產(chǎn)品說明:1200V、32mohm N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0032120J2

產(chǎn)品說明:1200V、32mohm 汽車碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120J2

產(chǎn)品說明:1200V、75mohm 汽車碳化硅 N-通道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120D

產(chǎn)品說明:1.2kV 汽車碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶體管,TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0120090J

產(chǎn)品說明:900V 碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶體管,TO-263-7

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090J

產(chǎn)品說明:900V N-通道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管,TO-263-7

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065L

產(chǎn)品說明:MOSFET SiC,MOSFET,60mohm,650V,TOLL,T&R,工業(yè)級(jí)

封裝:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065L

產(chǎn)品說明:碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技術(shù) N 溝道增強(qiáng)模式

封裝:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GTVA262701FA-V2-R2

產(chǎn)品說明:RF JFET 晶體管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

封裝:H-87265J-2
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB016M12GM3T

產(chǎn)品說明:1200 V,16 mΩ,碳化硅,六組模塊

封裝:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EAB450M12XM3

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 450A(Tc) 底座安裝

封裝:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011A12GM3T

產(chǎn)品說明:1200 V、11 mΩ、碳化硅、半橋模塊

封裝:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CBB032M12FM3T

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 39A(Tj) 底座安裝

封裝:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB006A12GM3T

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 底座安裝 模塊

封裝:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011M12FM3T

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 105A(Tj) 底座安裝 模塊

封裝:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB021M12FM3T

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 51A(Tj) 底座安裝 模塊

封裝:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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