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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

BM3G007MUV-LBE2

產(chǎn)品說明：Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率級IC

封裝：VQFN-46
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A（Tj） TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A（Tc） TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 39A（Tj） 165W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ARC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A（Tj） 134W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ALHRC11

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A（Tc） 134W TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KRC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 24A（Tj） 134W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWAHRTL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWAHRTL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A（Tc） TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63577S-VA

產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64378S-VA

產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64375S-VA

產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63375S-VC

產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64374S-VA

產(chǎn)品說明：搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
1800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63574S-VC

產(chǎn)品說明：搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)

封裝：HSDIP-25
10起
1800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

產(chǎn)品說明：Nano Cap?，EcoGaN?，650V 150mΩ 2MHz，GaN HEMT 功率級 IC

封裝：VQFN-46
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共114記錄?上一頁1234...8下一頁?
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