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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

GS-065-011-1-L-TR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,11A,GaN E-模式,5x6 PDFN,底部冷卻

封裝:PDFN 5x6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-004-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 4.6A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-008-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 8.8A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5CG

產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 150 V 低壓功率 MOSFET,采用 PQFN 3.3x3.3 源下中心柵封裝

封裝:PG-TTFN-9
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5

產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 150 V,采用 PQFN 3.3x3.3 降源封裝

封裝:PG-TSON-8
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DF400R12KE3

產(chǎn)品說明:62mm、1200V、400A 斬波器 IGBT 模塊

封裝:模塊
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN10S5L280D

產(chǎn)品說明:100V,N-Ch,最大 28 mΩ,汽車 MOSFET,雙 SSO8 (5x6),OptiMOS? 5

封裝:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L500R12W3H7H11

產(chǎn)品說明:1200 V、500 A 3 級 IGBT 模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LR-MR

產(chǎn)品說明:CoolGaN? 晶體管 700 V G4 實(shí)現(xiàn)極致效率和可靠性

封裝:PDFN-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IFF750B12ME7B11

產(chǎn)品說明:1200 V、750 A 雙 IGBT 模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IM12B10CC1

產(chǎn)品說明:CIPOS? Maxi 1200V 10A 三相智能電源模塊

封裝:DIP-24
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS28MR12W1M1HB11

產(chǎn)品說明:1200 V CoolSiC? MOSFET六單元模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDYH10G200C5

產(chǎn)品說明:CoolSiC? 肖特基二極管 2000 V,采用 TO-247PLUS-4 HCC 封裝

封裝:PG-TO247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS13MR12W2M1HC55

產(chǎn)品說明:1200 V CoolSiC? MOSFET SixPACK三相橋模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF450R12KE7E

產(chǎn)品說明:1200V、450A 共發(fā)射極IGBT模塊

封裝:模塊
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W1M1HS4PB11

產(chǎn)品說明:碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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