深圳市明佳達電子有限公司進口原裝英飛凌推出汽車級MOSFET（IPW65R115CFD7A）650V CoolMOS? N 溝道汽車級SJ 功率 MOSFET CFD7A器件說明TO-247 引腳封裝中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽車級認證 650V CoolMOS? SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比…
深圳市明佳達電子有限公司進口原裝英飛凌推出汽車級MOSFET（IPW65R115CFD7A）650V CoolMOS? N 溝道汽車級SJ 功率 MOSFET CFD7A
器件說明
TO-247 引腳封裝中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽車級認證 650V CoolMOS? SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，CoolMOS? CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同時增強了設(shè)計靈活性。
特征描述
符合 AEC-Q101 認證標準
電池電壓高達 475V 且毫不影響可靠性標準
硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲效率提升高達 98.4%
固有快速體二極管的 Qrr 比 CoolMOS? CFDA 低 30%
產(chǎn)品屬性
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS? CFD7A
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 21A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 115 毫歐 @ 9.7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 490μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 41 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1950 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 114W（Tc）
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
等級 汽車級
資質(zhì) AEC-Q101
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3-41
封裝/外殼 TO-247-3
潛在應(yīng)用
車載充電器
硬開關(guān)拓撲（帶 SiC 二極管）
PFC 升壓級
車載充電器的 DC-DC 級
HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器
LLC 或全橋移相 (ZVS)
輔助電源
電話咨詢：86-755-83294757
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