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【供應(yīng)功率MOSFET】IRFI4020H-117P 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET

【供應(yīng)功率MOSFET】IRFI4020H-117P 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET

來源:本站時間:2024-07-24瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)功率MOSFET】全新原裝 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封裝的 200V 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET描述:StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(導通)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性…

深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)功率MOSFET】全新原裝 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封裝的 200V 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET


描述:

StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(導通)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。


IRFI4020H-117P—MOSFET - 陣列 200V 9.1A 21W 通孔 TO-220-5 整包


產(chǎn)品屬性:

制造商: Infineon Technologies  

包裝: 管件    

技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)  

配置: 2 N-通道(雙)  

漏源電壓(Vdss): 200V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 9.1A  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 100 毫歐 @ 5.5A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 100μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 29nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1240pF @ 25V  

功率 - 最大值: 21W  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 通孔  

封裝/外殼: TO-220-5 整包  

供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 整包 


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